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Typical TSC spectrum in GaAs and various properties analyzed by its visualization

Version 2 2023-02-13, 04:35
Version 1 2023-02-01, 02:42
dataset
posted on 2023-02-13, 04:35 authored by Fukuzo YOSHIDA

The data sets of GaAs showing a typical TSC spectrum are given, so that one can experience the analysis of TSC spectrum visualization using these actual data.

There are 4 data sheets attached.

(1) 1_TSC_GaAs_raw-data.csv

TSC measurement of GaAs crystals by photoexcitation shown in Fig.2

In the experiment, the temperature of the sample was raised and lowered twice in succession. The 1st signal is the TSC after white light irradiation. The 2nd signal was measured under the condition of temperature rise only. The heating rate was 20 K/min. The collecting voltage was 0.2 V.

(2) 2_TSC_GaAs_separated.csv 

Separated five TSC spectra of GaAs crystal shown in Fig.8 (red lines)

(3) 3_TSC_GaAs_reconstructed.csv

Reconstructed TSC spectrum of GaAs crystal shown in Fig.8 (black line)

(4) 4_visualized_trap-depth_TSC_GaAs.csv

Visualized trap-depth characteristic of reconstructed TSC shown in Fig.9 (red dots)

Note 1

The TSC standard measurement protocol is specified in the following International Electrotechnical Commission (IEC) document.

IEC TS 62607-8-1:2020

Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 8-1: Nano-enabled metal-oxide interfacial devices - Test method for defect states by thermally stimulated current

https://webstore.iec.ch/publication/29993

Note 2

Here is a reference for advanced thermally stimulated current (TSC) measurement methods. An asymptotic estimation method was reported that can estimate the escape frequency coefficient from partial TSC curves.

Fukuzo Yoshida and Shigeyoshi Maeta, Osaka Institute of Technology

https://doi.org/10.1541/ieejfms1990.111.4_323

History

Corresponding author email address

fukuzo.yoshida@oit.ac.jp

Translated title

GaAsにおける代表的なTSCスペクトルとその可視化により解析された諸物性

Translated description

実際のデータを使用してTSC スペクトルの可視化を体験していただくため,典型的な TSC スペクトルを示すGaAsのデータセットを公開した.4つのデータシートがある. (1) 1_TSC_GaAs_raw-data.csv 本論文の図2にて示されているGaAsのTSC 測定データ.実験は,連続した昇降温を2回実施し,1回目の信号は光照射後のTSC で,2回目の信号は昇温のみで取得したTSCデータである.昇温レートは20 K/min,引出電圧は0.2 Vとした. (2) 2_TSC_GaAs_separated.csv 本文中の図8にて赤い線で示されている,5本の分離したTSC スペクトルのデータ. (3) 3_TSC_GaAs_reconstructed.csv 本文中の図8にて黒い線で示されている,復元したグローバルTSCのデータ. (4) 4_visualized_trap-depth_TSC_GaAs.csv 本文中の図9にて赤い点で示されている,復元したグローバルTSC の可視化データ. 参考情報 1 国際電気標準会議(International Electrotechnical Commission, IEC)にて,TSCの標準測定プロトコルが,以下の技術仕様書(Technical Specification, TS)として発行されている. IEC TS 62607-8-1:2020 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 8-1: Nano-enabled metal-oxide interfacial devices - Test method for defect states by thermally stimulated current https://webstore.iec.ch/publication/29993 参考情報 2 TSCの部分曲線だけから,キャリアトラップの離脱周波数因子を直接評価できる方法が報告されている. 吉田 福蔵, 前田 成欣 熱刺激電流の部分曲線から離脱周波数因子を直接評価できる漸近解法v法の提案 電気学会論文誌A,11巻 (1991) 4号,pp. 323-331.

Translated manuscript title

熱刺激電流の新しい解析技術 ~可視化~

Translated authors

吉田福蔵

Copyright

© 2023 Fukuzo YOSHIDA

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    応用物理/Oyo Buturi

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